靜息電位和動作電位的誕生氣制

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瑞文問答

2024-10-20

靜息電位誕生氣制:細胞的靜息電位相當于K+平穩(wěn)電位,系因K+跨膜擴散達電化學(xué)平穩(wěn)所引起。動作電位誕生氣制:在靜息狀態(tài)時,細胞膜外Na+濃度大于膜內(nèi),Na+有向膜內(nèi)擴散的趨勢,而且靜息時膜內(nèi)存在著相當數(shù)值的負電位,這種電場力也吸引Na+向膜內(nèi)挪動。

擴展資料

  靜息電位形成條件

  靜息電位指安靜時存在于細胞兩側(cè)的外正內(nèi)負的電位差。其誕生有兩個重要條件,一是膜兩側(cè)離子的不平穩(wěn)分布,二是靜息時膜對離子通透性的不同。

  動作電位形成條件

  ①細胞膜兩側(cè)存在離子濃度差,細胞膜內(nèi)鉀離子濃度高于細胞膜外,而細胞外鈉離子、鈣離子、氯離子高于細胞內(nèi),這種濃度差的堅持依賴離子泵的主動轉(zhuǎn)運。(主要是鈉-鉀泵(每3個Na+流出細胞, 就有2個K+流入細胞內(nèi)。即:Na+:K+ =3:2)的轉(zhuǎn)運)。

  ②細胞膜在不同狀態(tài)下對不同離子的通透性不同,例似,安靜時主要答應(yīng)鉀離子通透,而去極化到閾電位水平時又主要答應(yīng)鈉離子通透。

  ③可興奮組織或細胞受閾刺激或閾上刺激。

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